| 型号： | IRFHM792TR2PBF | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | International Rectifier | 描述： | MOSFET N CH DUAL 100V 2.3A PQFN |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| IRFHM792TR2PBF PDF |  |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 195 毫欧 @ 2.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 10µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 251pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装 | 8-PQFN（3.3X3.3），Power33 |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | IRFHM792TR2PBFDKR |